封面文章：杨顺华，丁晨良，朱大钊，等. 基于飞秒激光的高速双光子刻写技术 [J]. 光电工程，2023，50(3): 220133

飞秒激光的超短脉宽及高峰值功率密度特性，在微纳加工方面展现出独特的优势，成为微纳加工技术的研究热点。飞秒双光子直写（two-photon lithography, TPL）无需掩模版，具有3D加工能力，且可以直接将电脑端设计的结构进行加工，是目前硅光芯片、新型传感器、人工智能、新型材料等新兴领域迫切需要的微纳加工技术。然而，相比目前运用广泛的曝光光刻技术，飞秒双光子直写技术的加工效率问题一直束缚着其在各领域中的运用。

之江实验室刘旭教授、匡翠方教授研究团队阐述了科研人员针对飞秒双光子刻写效率提升进行的研究工作。具体地，分别从几个代表性的光学曝光手段，即单光束扫描、并行多光束刻写、面曝光和体曝光四个模块进行总结与对比。首先阐述了目前飞秒双光子直写的主流刻写方式，即基于不同扫描器件的单光束刻写研究。进一步阐述了飞秒双光子面曝光的研究进展，该技术一般通过数字微镜阵列DMD或空间光调制器SLM产生目标图形化光场，并将该面光场投影到物镜焦面进行曝光。全面的总结了飞秒双光子直写技术在效率提升上的研究进展进行了，包括基于各类高速扫描器件的单光束刻写技术，基于干涉点阵、MLA、DOE、SLM和DMD的多焦点并行刻写技术，基于SLM/DMD的面曝光技术，以及基于SLM的体曝光技术等，并对各类技术的优缺点及存在的挑战进行了相应阐述。